Thyristor-Diode Modules--SIRECTIFIER

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型号 TYPE	电气特性Electrical Characteristics										封装外形 Package Style	Datasheet
	IT			VDRM	ITSM	VTO	rT	dv/dt	TVJM	RthJC
	ITRMS	ITVM @TC		/VRRM	45°C/10ms	VTO	rT	dv/dt	TVJM	per chip
	A	A	°C	V	A	V	mΩ	V/μs	°C	K/W
STD116GK16	182	116	85	1600	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 36	PDF
STD116GK18	182	116	85	1800	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 36	PDF
SDT116GK08	182	116	85	800	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 36	PDF
SDT116GK12	182	116	85	1200	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 36	PDF
SDT116GK14	182	116	85	1400	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 36	PDF
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STD130GK08	204	130	85	800	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
STD130GK12	204	130	85	1200	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
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STD130GK16	204	130	85	1600	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
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SDT130GK16	204	130	85	1600	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
SDT130GK18	204	130	85	1800	5500	0.8	1.5	1000	125	0.23	Fig. 37	PDF
STD165GK08	259	165	85	800	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD165GK12	259	165	85	1200	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF
STD165GK14	259	165	85	1400	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 37	PDF

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