STYN208

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs)

SPT技术的IGBT模块SPT IGBT Modules (Soft Punch Through Technology)

型号 TYPE	电气特性Electrical Characteristics											封装外形 Package Style
	IGBT					反向二极管 Inverse Diode				R_thJC	内部电路Circuit
	V_CES	I_C25 @T_C=25°C	I_C80 @T_C=80°C	V_CEsat @25°C typ	E_OFF @125°C typ.	IF @T_C=25°C	IF @T_C=80°C	VF @T_C=25°C typ	trr	R_thJC	内部电路Circuit
	V	A	A	V	mJ	A	A	V	ns	K/W
SII75S12	1200	100	70	1.90	4.7	75	50	2.0	55	0.30	1	Fig.1
SII100S12	1200	145	105	1.90	7.5	95	65	2.0	45	0.21	1	Fig.1
SII145S12	1200	190	135	1.90	9.5	130	90	2.0	50	0.165	1	Fig.1
SII150S12	1200	200	140	1.90	9.0	150	100	2.0	40	0.15	1	Fig. 25
SII200S12	1200	310	220	1.90	15.0	190	130	2.0	50	0.095	1	Fig. 25
SII300S12	1200	370	265	1.90	22.0	260	180	2.0	55	0.085	1	Fig. 25
SII400S12	1200	565	400	1.90	31.0	390	260	2.0	60	0.055	1	Fig. 25
SID75S12	1200	100	70	1.90	4.7	75	50	2.0	55	0.30	2	Fig.1
SID100S12	1200	145	105	1.90	7.5	95	65	2.0	45	0.21	2	Fig.1
SID145S12	1200	190	135	1.90	9.5	130	90	2.0	50	0.165	2	Fig.1
SID150S12	1200	200	140	1.90	9.0	150	100	2.0	40	0.15	2	Fig. 25
SID200S12	1200	310	220	1.90	15.0	190	130	2.0	50	0.095	2	Fig. 25
SID300S12	1200	370	265	1.90	22.0	260	180	2.0	55	0.085	2	Fig. 25
SID400S12	1200	565	400	1.90	31.0	390	260	2.0	60	0.055	2	Fig. 25
SDI75S12	1200	100	70

SII75S12