功率场效应晶体管Power MOSFETs 

型号

TYPE

电气特性Electrical Characteristics

封装外形

Package Style

VDSS

ID25

@TC=25°C

RDS(ON)

VGSS

RthJC

内部电路

Circuit

V

A

V

K/W

SMOS21N50

500

21.0

250

±20

0.45

1

TO-247AD

SMOS26N50

500

26.0

200

±20

0.50

1

TO-247AD

SMOS44N50

500

44.0

120

±20

0.24

1

SOT-227

SMOS44N50D2

500

44.0

120

±20

0.24

2

SOT-227

SMOS44N50D3

500

44.0

120

±20

0.24

3

SOT-227

SMOS48N50

500

48.0

100

±20

0.26

1

SOT-227

SMOS48N50D2

500

48.0

100

±20

0.26

2

SOT-227

SMOS48N50D3

500

48.0

100

±20

0.26

3

SOT-227

SMOS44N80

800

44.0

165

±20

0.18

1

SOT-227