公司及产品动态

  2009年11月, 江苏矽莱克电子科技有限公司通过ISO9001:2008最新版质量管理体系认证和ISO14001:2004环境管理体系认证

 2008年11月, 江苏矽莱克电子科技有限公司搬迁到位于常州市钟楼区西林工业园富林路15号的新厂房，其中洁净厂房面积有7200平方米

  2008年8月, 矽莱克半导体和其它公司合作改编为江苏矽莱克电子科技有限公司

  2007年5月, 矽莱克半导体获得3个有关于三相扁平式桥式整流器封装技术和产品的专利

  2006年1月, 矽莱克半导体和意大利KENDEIL公司合资成立常州卡巴克斯电子有限公司，主要生产螺栓式铝电解电容器

  2005年8月, 矽莱克半导体获得2个有关于扁平封装的桥式整流器的专利

  2005年1月, 矽莱克半导体厂搬迁至常州市钟楼开发区塘门路79号， 厂房面积为5000平方米

  2004年12月, 矽莱克半导体成功研制出150A - 400A/600V, 1200V, 1700V  NPT 和SPT IGBT模块

  2004年5月, 矽莱克半导体成功研制出800A 压接式晶闸管(可控硅)模块

  2004年3月, 矽莱克半导体成功研制出500A 压接式晶闸管(可控硅)模块

  2003年6月, 矽莱克半导体成功研制出50A - 145A/600V, 1200V, 1700V  NPT 和 SPT IGBT模块

  2003年3月, 矽莱克半导体成功开发出分立式IGBT, 封装形式有 TO-263(D2PAK), TO-220AB, TO-247AD, SOT-227(ISOTOP)

  2003年3月, 矽莱克半导体成功开发出SOT-227(ISOTOP)封装及专利技术---多单元SOT-227(MULT-ISOTOP)

  2002年12月, 矽莱克半导体成功开发出GBJ封装及专利技术---陶瓷或DCB衬底绝缘式GBJ封装

  2002年12月, 矽莱克半导体成功开发出超快恢复外延二极管, 封装形式有 TO-263(D2 PAK), TO-220AB, TO-220AC, TO-247AD, TO-247AC

  2002年7月, 矽莱克半导体成功开发出砷化镓GaAs肖特基二极管. 封装形式有 TO-263(D2 PAK), TO-220AB, TO-220AC

  2002年3月, 矽莱克半导体成功开发出175ºC 高结温低漏电流肖特基势垒二极管MBR系列.  封装形式有 TO-263(D2 PAK), TO-220AB, TO-220AC, TO-247AC, TO-247AD

  2002年3月, 矽莱克半导体成功开发出低压降肖特基势垒二极管SBL系列.  封装形式有 TO-263(D2 PAK), TO-220AB, TO-220AC, TO-247AC, TO-247AD

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