产品动态

   2004年12月, 矽莱克半导体成功研制出150A - 400A/600V, 1200V, 1700V  NPT 和SPT IGBT模块

  2004年5月, 矽莱克半导体成功研制出800A 晶闸管(可控硅)模块

  2004年3月, 矽莱克半导体成功研制出500A 晶闸管(可控硅)模块

  2003年6月, 矽莱克半导体成功研制出50A - 145A/600V, 1200V, 1700V  NPT 和 SPT IGBT模块

  2003年3月, 矽莱克半导体成功开发出分立式IGBT, 封装形式有 TO-263(D2PAK), TO-220AB, TO-247AD, SOT-227(ISOTOP)

  2003年3月, 矽莱克半导体成功开发出SOT-227(ISOTOP)封装及专利技术---多单元SOT-227(MULT-ISOTOP)

  2002年12月, 矽莱克半导体成功开发出GBJ封装及专利技术---陶瓷或DCB衬底绝缘式GBJ封装

  2002年12月, 矽莱克半导体成功开发出超快恢复外延二极管, 封装形式有 TO-263(D2 PAK), TO-220AB, TO-220AC, TO-247AD, TO-247AC

  2002年7月, 矽莱克半导体成功开发出砷化镓GaAs肖特基二极管. 封装形式有 TO-263(D2 PAK), TO-220AB, TO-220AC

  2002年3月, 矽莱克半导体成功开发出175ºC 高结温低漏电流肖特基势垒二极管MBR系列.  封装形式有 TO-263(D2 PAK), TO-220AB, TO-220AC, TO-247AC, TO-247AD

  2002年3月, 矽莱克半导体成功开发出低压降肖特基势垒二极管SBL系列.  封装形式有 TO-263(D2 PAK), TO-220AB, TO-220AC, TO-247AC, TO-247AD